STH410N4F7-2AG

STH410N4F7-2AG是ST意法半导体推出的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的Automotive级STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅极技术，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。优化的单元结构和封装设计有效降低了寄生参数，为高电流、高频率应用提供了坚实的硬件基础，确保了在严苛的汽车电子环境下的高可靠性与长寿命。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的功率处理能力与效率。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达200A，最大功率耗散为365W，能够承受高强度的负载。更关键的是，其在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下的导通电阻典型值低至1.1毫欧，这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗和发热量，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷Qg最大值仅为141nC，有助于降低开关损耗，实现更快的开关速度，这对于提升开关电源和电机驱动的频率与效率至关重要。

在电气参数方面，该器件设计稳健，漏源击穿电压为40V，适用于常见的12V和24V汽车电池系统。其栅源电压范围宽达±20V，提供了较强的抗干扰能力。输入电容Ciss在25V条件下最大值为11500pF，结合低栅极电荷，使得驱动电路的设计更为灵活高效。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，该封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，便于在功率PCB上实现高密度布局与高效的热管理。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，完全满足汽车级应用对极端温度环境的要求。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高电流、低损耗和车规级可靠性，STH410N4F7-2AG非常适合于对效率和鲁棒性要求极高的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机控制单元，如电动助力转向、燃油泵、冷却风扇驱动；DC-DC转换器，尤其是作为同步整流的下桥臂开关，能极大降低传导损耗；此外，在工业电源、大电流负载开关以及电池保护电路中，它也能发挥出色的性能。

• 型号:STH410N4F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:365W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH410N4F7-2AG是ST意法半导体推出的车规级N沟道功率MOSFET，属于Automotive, AEC-Q101认证的STripFET F7系列。该器件核心优势在于其极低的功率损耗，其导通电阻在10V Vgs、90A Id条件下典型值仅为1.1毫欧，结合高达200A的连续漏极电流处理能力，为高功率密度应用提供了高效的解决方案。

其设计兼顾了强健性与快速开关性能，40V的漏源电压适用于主流汽车电气平台，141nC的低栅极电荷有助于降低开关损耗。采用H2PAK-2封装，确保了优异的散热能力和机械可靠性，工作结温范围达-55°C至175°C，满足严苛的汽车环境要求，是电机驱动、DC-DC转换及大电流开关应用的理想选择。