STH6N95K5-2

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STH6N95K5-2是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh K5技术平台，该平台通过创新的单元结构和工艺优化，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而提升了开关效率和功率密度，使其在高压应用中能够有效降低传导和开关损耗。

该器件提供了950V的高漏源击穿电压（Vdss），确保了在严苛的离线电源拓扑中的高可靠性。其导通电阻在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为1.25欧姆，结合极低的栅极电荷（典型值13nC），共同构成了其高效能的核心。较低的Qg意味着驱动电路所需的能量更少，开关速度更快，有助于简化栅极驱动设计并提升系统整体效率。此外，其输入电容（Ciss）也得到良好控制，有助于改善高频开关性能。

在电气参数方面，STH6N95K5-2在壳温（Tc）条件下支持高达6A的连续漏极电流，最大功耗为110W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了抗干扰能力。器件采用紧凑的H2PAK-2表面贴装封装，这种封装具有良好的热性能和功率处理能力，适合自动化生产。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在宽温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关服务。

凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和反激式拓扑，尤其适用于工业电源、服务器电源和电信基础设施。此外，它也适用于照明领域的LED驱动以及电机驱动和逆变器中的辅助电源部分，为系统提供高效、紧凑的高压开关解决方案。

• 型号:STH6N95K5-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STH6N95K5-2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH6N95K5-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，核心优势在于其950V的漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数。

其技术亮点包括在10V Vgs下仅1.25欧姆的低导通电阻（Rds(on)），以及低至13nC的栅极电荷（Qg），这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，在-55°C至150°C的结温范围内提供可靠的性能，适用于需要高功率密度和热管理能力的严苛环境。