STH80N10F7-2

作为ST意法半导体旗下DeepGATE和STripFET VII产品系列的一员，STH80N10F7-2是一款采用先进沟槽栅技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在100V的漏源电压（Vdss）等级下，有效平衡了传导损耗与开关损耗。该器件采用H2PAK-2封装，这是一种专为大电流应用设计的表面贴装型封装，具有良好的热性能和功率处理能力，其最大结温（TJ）可达175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET的关键性能体现在其出色的导通特性上，在驱动电压为10V、漏极电流为40A的条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为9.5毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的功率耗散，结合高达80A（Tc）的连续漏极电流能力，使其能够高效处理大功率负载。同时，其栅极驱动设计兼顾了效率与易用性，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为45nC，这有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。对于需要技术支持与可靠供应的项目，可以咨询专业的ST授权代理。

在电气参数方面，该器件提供了宽泛的安全工作范围。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，为驱动电路提供了充足的裕量。输入电容（Ciss）在50V条件下最大为3100pF，这是评估开关动态性能的重要参数。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为110W，结合其封装的热特性，为系统散热设计提供了明确依据。其工作温度范围覆盖-55°C至175°C（TJ），适用于工业级应用环境。

基于其100V的耐压、80A的高电流承载能力以及优异的开关性能，STH80N10F7-2非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的功率开关、电机驱动与控制系统，以及各类需要快速开关和低损耗的功率管理模块。尽管其零件状态标注为停产，但在一些现有系统维护或特定设计中，它仍然是一个值得参考的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STH80N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH80N10F7-2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的DeepGATE和STripFET VII产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其技术亮点包括极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流下典型值仅为9.5毫欧，以及优化的45nC（@10V）栅极电荷，这共同确保了较低的传导损耗和高效的开关性能。这些特性使其成为高功率密度设计的理想选择，适用于同步整流、DC-DC转换和电机驱动等应用场景。