STI12NM50N

STI12NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种核心架构设计旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效，其380毫欧（@5.5A, 10V）的典型导通电阻与30nC（@10V）的栅极电荷参数，正是这一设计理念的直接体现。

作为MDmesh II系列的一员，这款MOSFET具备多项关键特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，适用于市电整流后的高压母线环境。在25°C管壳温度下，器件可连续通过11A的漏极电流，并支持高达100W的功率耗散，展现了良好的功率处理能力。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可获得优异的导通特性，同时栅极电压耐受范围达±25V，增强了应用的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

在电气参数方面，STI12NM50N展现了针对高效开关应用优化的性能组合。除了优异的Rds(on)与Qg，其输入电容（Ciss）在50V偏压下最大为940pF，有助于简化栅极驱动电路设计。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件采用通孔安装的I2PAK封装，该封装具有良好的热性能和机械强度，便于在功率板上进行焊接和散热管理。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

得益于其高压、低损耗的特性，STI12NM50N非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升电源转换效率，减少热量产生，并有助于实现更紧凑、更可靠的系统设计。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件维修市场中，它仍然是一款具有参考价值的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STI12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI12NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，核心优势在于500V的漏源电压（Vdss）与低至380毫欧的导通电阻（Rds(on)）的结合，同时保持了较低的栅极电荷（30nC @10V），这使其在高压开关应用中能显著降低导通损耗和开关损耗。

器件在25°C（Tc）条件下可提供11A的连续漏极电流，最大功率耗散能力为100W，采用坚固的I2PAK通孔封装，便于散热设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和±25V的栅极电压耐受能力，确保了在工业级应用环境中的高可靠性与稳定性。