STI13NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一员，STI13NM60N是一款采用先进平面工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，结合了低栅极电荷与低导通电阻的特性，旨在实现高频开关应用中的高效率与低损耗。该器件采用了I2PAK通孔封装，提供了良好的机械强度和散热能力，确保在高温环境下稳定工作。

这款MOSFET的显著特性在于其优异的动态性能。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为360毫欧（@5.5A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，最大栅极电荷（Qg）低至30nC，配合适中的输入电容，意味着栅极驱动电路所需能量更少，开关速度更快，有助于减小开关损耗并简化驱动设计。

在电气参数上，STI13NM60N在25°C壳温下可连续通过11A的漏极电流，最大允许栅源电压为±25V，提供了宽裕的设计余量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声免疫能力。器件结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。可靠的性能和稳定的供货渠道，例如通过正规的ST授权代理进行采购，是保障项目顺利推进的关键因素之一。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动控制、工业照明镇流器以及不同断电源（UPS）系统。在这些场景中，它能够有效处理高电压大电流，实现紧凑且高效的功率转换解决方案。

• 型号:STI13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为360毫欧，配合低至30nC的栅极电荷（Qg），共同确保了较低的导通损耗和快速的开关速度。这些特性使其成为追求高效率与高功率密度的开关电源、电机驱动及工业电源系统的理想选择。