STP130NH02L

STP130NH02L是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅极工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与高电流处理能力的平衡。其核心设计旨在最大限度地减少传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电流承载能力与极低的导通阻抗。在壳温（T_C）为25°C的条件下，其连续漏极电流（I_D）高达90A，而导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和45A电流下典型值仅为4.4毫欧。这种低R_DS(on)特性直接转化为更低的通态功耗和发热量。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，配合93nC（@10V）的栅极总电荷（Q_g），确保了器件能够被标准逻辑电平（如5V）高效驱动，并实现快速的开关切换，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在电气参数方面，STP130NH02L的漏源击穿电压（V_DSS）为24V，适用于低压大电流应用场景。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极可靠性。器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散能力为150W（T_C）。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）保证了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借上述技术特点，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。其主要应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、高电流负载开关、电机驱动控制中的H桥或三相逆变器下桥臂，以及各类低压大电流的电源管理和功率分配单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类低压功率MOSFET中仍具有参考价值，适用于对现有设计的维护或特定批次的替换需求。

• 型号:STP130NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 90A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP130NH02L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220封装，设计用于低压、大电流的开关应用。

其核心优势在于极低的导通电阻与高电流处理能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至4.4毫欧（@45A），同时连续漏极电流（I_D）在25°C壳温下可达90A，这使其在导通期间的功率损耗非常小。24V的漏源电压（V_DSS）和适中的栅极电荷（Q_g）使其特别适合用于高效的同步整流和电机驱动电路。

该器件支持宽范围的工作结温（-55°C 至 175°C），并具有150W的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性。其参数组合旨在优化系统效率与功率密度。