STI150N10F7

意法半导体推出的STI150N10F7是一款采用先进STripFET技术构建的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能，通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在硅片层面有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种设计使得器件在承受高达100V漏源电压的同时，能够通过高达110A（壳温条件下）的连续电流，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该器件的功能特点突出表现在其优异的电气参数上。在10V栅极驱动电压、55A漏极电流的典型工作条件下，其导通电阻最大值仅为4.2毫欧，这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在117nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了宽裕且安全的驱动电压范围。

在接口与关键参数方面，STI150N10F7采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，这种封装具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力为250W（壳温条件下）。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。这些参数共同定义了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案。

基于其100V的耐压、高电流处理能力和出色的开关特性，该MOSFET非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的开关元件、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑，以及不间断电源（UPS）和电焊机等大功率设备。其稳健的设计使其能够胜任高频、高效率的功率开关任务，是工程师设计下一代高效能电力电子系统的优选器件。

• 型号:STI150N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI150N10F7是意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK（TO-262）通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，在10V栅极驱动下，55A电流时导通电阻最大值仅为4.2毫欧，有效降低了传导损耗。

该器件额定漏源电压为100V，在壳温条件下可连续通过110A电流，最大功率耗散达250W。其栅极电荷典型值为117nC，有助于实现高效率的高频开关操作。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于要求严苛的功率转换与电机控制应用。