STI18N65M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STI18N65M2是一款采用先进MDmesh M2技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I2PAK封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构基于优化的超结（Super-Junction）技术，通过在垂直结构中实现更低的单位面积导通电阻（Rds(on)），显著提升了功率密度和开关性能。这种设计使得器件在承受高达650V漏源电压（Vdss）的同时，能够有效管理开关过程中的能量损耗。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的开关特性和稳健性上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻最大值仅为330毫欧（@6A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC（@10V），结合770pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件具备±25V的栅源电压（Vgs）耐受能力，提供了更宽的驱动安全裕度。其结温（Tj）最高可工作于150°C，在管壳温度（Tc）下最大功耗为110W，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与关键参数方面，STI18N65M2标称连续漏极电流（Id）为12A（Tc）。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V（@250A），有助于防止因噪声引起的误触发，增强系统抗干扰能力。这些参数共同定义了一个在高压下兼具低损耗与快速响应能力的功率开关解决方案。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其650V的耐压等级、优异的开关性能以及I2PAK封装良好的散热特性，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及照明领域的电子镇流器和LED驱动。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，降低系统热设计难度，是实现紧凑型、高效能电源设计方案的关键元器件之一。

• 型号:STI18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STI18N65M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STI18N65M2是意法半导体基于MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装。该器件核心优势在于其650V的漏源击穿电压（Vdss）与低至330毫欧（@6A，10V）的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，旨在显著降低高压应用中的导通损耗。

其开关特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为20nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。器件额定连续漏极电流（Id）为12A（Tc），最高结温（Tj）达150°C，功率耗散能力为110W（Tc），确保了在持续高功率运行下的稳定性。这些参数使其成为高效率开关电源、电机驱动和工业电源系统中高性能功率开关的理想选择。