STP17NK40ZFP

STP17NK40ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高单元密度与低导通电阻的平衡。其核心在于通过独特的“超级网格”结构，有效降低了传统高压MOSFET中普遍存在的导通损耗，同时保持了优异的开关性能和坚固性，为高压开关应用提供了一个高效可靠的半导体解决方案。

得益于SuperMESH技术，该MOSFET在400V的漏源电压（Vdss）额定值下，展现出卓越的电气特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、7.5A漏极电流条件下典型值仅为250毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的通态损耗和更高的整体能效。器件具有高达15A的连续漏极电流承载能力（壳温条件下），并且栅极电荷（Qg）被控制在65nC（@10V）的较低水平，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率潜力，简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在接口与参数方面，STP17NK40ZFP采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种封装形式不仅提供了良好的通孔安装机械强度，其自带绝缘垫片的设计也简化了散热器安装时的电气隔离步骤。器件的最大功耗为35W（Tc），结合其低热阻封装，能够有效管理功率耗散。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

这款MOSFET主要面向需要高效功率转换和控制的离线式应用场景。它非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器以及电机驱动和照明控制中的高频开关单元。其平衡的性能参数使其成为工业控制、消费类电子电源适配器、LED驱动以及家用电器中功率级设计的优选器件，在提升系统效率与功率密度的同时，保障了长期运行的耐用性。

• 型号:STP17NK40ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP17NK40ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心额定参数为400V漏源电压（Vdss）和15A连续漏极电流（Tc），专为高压、高电流开关应用而设计。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V Vgs、7.5A Id条件下典型值仅为250毫欧，配合65nC的低栅极电荷（Qg @ 10V），共同实现了优异的导通与开关损耗平衡。这些特性使其能够显著提升功率转换效率，并支持更高频率的开关操作。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在广泛环境条件下的稳定性和可靠性。