STW14NM65N

STW14NM65N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，结合最大仅380毫欧的导通电阻（在6A，10V条件下），意味着在导通期间能够有效降低传导损耗。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关损耗，提升高频工作下的性能。此外，器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动灵活性。

在接口与参数方面，STW14NM65N采用工业标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）为150°C，在提供125W（Tc）最大功耗的同时确保了在高温环境下的稳定运行。其输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化驱动电路设计并抑制潜在的开关振荡。对于需要可靠供货与技术支持的设计项目，可以咨询官方授权的ST一级代理以获取更详细的产品信息与库存支持。

这款器件主要面向中高功率的AC-DC电源转换领域。其典型应用场景包括服务器和电信设备的开关电源、工业电机驱动与变频器中的辅助电源、高性能LED照明驱动以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性能够直接转化为更高的电源效率、更小的散热器尺寸以及更紧凑的系统设计，满足现代电子设备对能效和功率密度的严格要求。

• 型号:STW14NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW14NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术优势体现在较低的导通电阻（Rds(on)最大值380mΩ @ 6A, 10V）与优化的栅极电荷（Qg），这共同保障了器件在导通状态下的低损耗与快速开关性能，有助于提升整体电源转换效率。该MOSFET适用于要求高可靠性与高效能的工业级电源设计场景。