STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直结构设计。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在650V的高阻断电压下实现了极低的单位面积导通电阻。其内部架构旨在有效管理开关过程中的电荷，从而在导通损耗和开关损耗之间取得卓越的平衡，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色组合。在10V驱动电压、24A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为65毫欧，确保了在导通状态下的功率损耗最小化。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在88nC，这有助于降低驱动电路的功率需求，并实现更快的开关速度，减少开关过渡期间的损耗。这种特性组合使其特别适用于高频开关应用。

在电气参数方面，STW58N65DM2AG具备650V的漏源击穿电压（Vdss）和48A的连续漏极电流（Id）承载能力，结合高达360W的功率耗散，提供了宽裕的设计余量。其栅源电压（Vgs）支持±25V，增强了抗干扰能力。器件采用坚固的TO-247通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并通过了AEC-Q101认证，满足汽车电子应用的严苛可靠性要求。如需获取官方技术支持和供货保障，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借其高性能与高可靠性，该器件主要面向要求高效率和高功率密度的应用场景。在工业领域，它是开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路和不间断电源（UPS）中功率开关的理想选择。在汽车电子领域，符合AEC-Q101标准的特性使其能够用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及新能源车的辅助电源系统。此外，在电机驱动、焊接设备和太阳能逆变器等应用中，它也能有效提升系统的能效和功率等级。

• 型号:STW58N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW58N65DM2AG是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，专为高要求应用设计。其核心特性在于650V的漏源电压（Vdss）和48A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合低至65毫欧的导通电阻（Rds(on) @ 10V, 24A），能够显著降低导通损耗。

该器件进一步优化了动态性能，其栅极电荷（Qg）典型值仅为88nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。通过AEC-Q101认证，确保其满足汽车级应用的可靠性标准，工作结温范围达-55°C至150°C。这些参数使其成为追求高效率和高功率密度设计的工程师在工业电源、汽车电力和新能源系统中的优选功率开关解决方案。