STI18N65M5

STI18N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，实现了极低的导通电阻与栅极电荷的出色折衷，这直接提升了开关电源等系统的整体能效与功率密度。

该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）提供了充裕的电压裕量，增强了系统在电网波动或感性负载条件下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为15A，结合仅220毫欧（@7.5A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下极低的传导损耗。其栅极驱动特性同样优异，最大栅极电荷（Qg）仅为31nC（@10V），这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使得开关频率可以进一步提升。此外，其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了稳健的驱动安全边际。

在电气参数方面，STI18N65M5展现了MDmesh V系列的低损耗特性。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声免疫能力。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术规格在当年设定了高性能标准，对于仍在维护或升级相关设计的工程师而言，理解其特性仍有重要参考价值。有需要的用户可通过授权的ST一级代理咨询库存或替代方案。该器件最大结温（Tj）可达150°C，采用通孔I2PAK封装，最大功率耗散为110W（Tc），适合需要高散热能力的应用场景。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关能力，STI18N65M5非常适用于要求严苛的功率电子领域。其典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的逆变与转换模块、以及电机驱动和照明镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少热设计复杂度，为系统实现紧凑、可靠的高功率密度解决方案提供了关键支持。

• 型号:STI18N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI18N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）和15A连续漏极电流（Id），专为高效、高可靠性的高压开关应用设计。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：最大导通电阻（Rds(on)）低至220毫欧（@7.5A, 10V），能显著降低导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在提升系统能效和功率密度方面表现出色。

该器件适用于工业电源、UPS、电机驱动等对效率和可靠性要求较高的领域，其150°C的最大结温（Tj）和110W（Tc）的功率耗散能力也确保了其在严苛环境下的稳定运行。请注意，该产品目前已停产。