STI18NM60N

STI18NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心架构通过优化单元密度和电荷平衡技术，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速响应能力和坚固性。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）承载能力，为高压功率转换提供了可靠的基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6.5A电流条件下典型值仅为285毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，最大35nC的栅极电荷（Qg）与1000pF的输入电容（Ciss）参数，意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率，减少开关损耗。

在电气接口与参数方面，STI18NM60N采用标准的10V栅极驱动电压，其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的安全设计余量。其封装形式为通孔安装的I2PAK（TO-262），这种封装具有良好的机械强度和散热性能，最大功率耗散可达110W（基于壳温Tc），结合其-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STI18NM60N非常适用于要求严苛的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及工业照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升电源系统的功率密度和整体能效，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍扮演着重要角色。

• 型号:STI18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI18NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至285毫欧（@6.5A），能显著降低导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg，最大35nC）和输入电容（Ciss，最大1000pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于提升系统效率与频率。器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，最大功耗110W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的功率处理能力与环境适应性。