STI21N65M5

STI21N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh V系列高性能功率MOSFET。该器件采用先进的垂直DMOS结构，其核心在于优化了单元密度与电荷平衡，通过创新的多外延工艺和独特的单元布局，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构设计使得器件在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

作为一款N沟道增强型MOSFET，其漏源击穿电压（V_DSS）高达650V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为17A，结合最大仅179mΩ的导通电阻（在8.5A，10V条件下），意味着在导通状态下能够有效控制功率耗散，减少发热。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，而栅极总电荷（Q_g）典型值较低，这有助于降低栅极驱动电路的功率需求，并提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，该器件展现了优异的性能平衡。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值适中，提供了良好的噪声抑制能力。最大栅源电压（V_GS）为±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。尽管输入电容（C_iss）相对较大，这是高压大电流器件的典型特征，但得益于MDmesh V技术对电荷的优化管理，其开关品质因数（R_DS(on) * Q_g）表现突出。器件采用坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，最大功率耗散能力为125W（Tc），结合高达150°C的结温（T_J）工作范围，赋予了其强大的热管理和功率处理能力，适合在苛刻的环境下长期稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购与咨询。

基于其高耐压、低导通电阻和高效率的特性，STI21N65M5非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）、电焊机以及太阳能逆变器的功率级。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度和能效，是实现紧凑、高效、可靠电力电子设计的理想选择。

• 型号:STI21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI21N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，其核心优势在于650V的漏源击穿电压（V_DSS）与低至179mΩ（最大值）的导通电阻（R_DS(on)）的优异结合，这得益于其先进的电荷平衡技术，能显著降低传导损耗。

在25°C壳温下，器件可支持高达17A的连续漏极电流，并采用标准的10V栅极驱动电压。其较低的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换，从而优化开关损耗。封装形式为通孔式I2PAK，最大功率耗散为125W，工作结温高达150°C，确保了在工业级功率应用中的鲁棒性和热可靠性。