STI24N60M2

STI24N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与快速开关特性的卓越平衡。其核心在于第二代改进的超结技术，通过精密的单元结构和电荷平衡原理，显著降低了单位面积的导通损耗，同时优化了内部寄生电容，为高效率、高频率的功率转换应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级AC-DC转换或电机驱动等高压环境下的可靠性与安全裕度。在导通性能方面，在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为190毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在29nC（@10V），结合优化的内部电容，有助于降低开关损耗，提升开关频率，从而允许使用更小的磁性元件。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声免疫能力。

在接口与参数层面，该器件采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，具有良好的机械强度和散热能力，其结壳热阻（RthJC）特性支持高达150W（Tc）的功率耗散。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。其栅极驱动电压范围宽至±25V，为驱动电路设计提供了灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高性能指标，STI24N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主转换级、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等功率处理单元。在这些系统中，它能够有效提升整机效率，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的硬件设计。

• 型号:STI24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI24N60M2是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其成熟的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了低至190毫欧（@10V， 9A）的导通电阻，显著降低了功率传导损耗。

其电气参数经过优化，栅极电荷（Qg）仅为29nC，有助于实现快速的开关切换并降低开关损耗，提升系统整体效率。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，支持150W的功率耗散能力，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和鲁棒性。