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| STLD257N4F7AG的报价和技术资料 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商 |
STLD257N4F7AG的图片

STLD257N4F7AG

ST图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：DISCRETE
原厂封装：封装:PowerFlat（5x6）双面
优势价格，STLD257N4F7AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STLD257N4F7AG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 型号:STLD257N4F7AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat（5x6）双面
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:DISCRETE
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5400 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
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