STL19N60M2

STL19N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于专为高压应用设计的超级结（Super-Junction）架构，通过精心控制电荷平衡，显著降低了单位面积的导通损耗，从而在600V的额定电压下实现了优异的开关性能和传导效率。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id）承载能力。其关键优势在于极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），典型值分别为21.5nC @ 10V和791pF @ 100V，这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。同时，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下得到优化，确保了在导通状态下更低的功率耗散。器件采用表面贴装的PowerFlat HV（8x8）封装，这种封装不仅提供了出色的散热性能，其紧凑的占板面积也满足了现代高功率密度电源设计的需求。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，并支持高达±25V的栅源电压，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STL19N60M2在壳温（Tc）下的最大功率耗散为90W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。这些参数共同定义了其在高效率、高可靠性应用中的核心价值。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高性能指标，该器件是开关模式电源（SMPS）初级侧功率转换、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动、照明镇流器以及不间断电源（UPS）等应用的理想选择。其设计旨在提升终端系统的整体能效和功率密度，帮助工程师应对日益严苛的能效标准挑战。

• 型号:STL19N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 想获取STL19N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL19N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的超级结技术，核心规格为600V漏源电压和11A连续漏极电流，专为要求高效率与高可靠性的高压开关应用而设计。

其技术亮点在于优化的动态特性，包括低至21.5nC的栅极电荷和791pF的输入电容，这显著降低了开关损耗，提升了工作频率。同时，器件采用散热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，最大功率耗散达90W，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保了在紧凑空间和严苛环境下的稳定运行。