STD4N90K5

STD4N90K5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直导电结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在单颗芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。得益于MDmesh技术特有的电荷平衡机制，该MOSFET在维持高阻断电压的同时，有效控制了单位面积的导通电阻，使其在高压应用中表现出优异的电气性能。

该器件具备一系列突出的功能特性。其漏源击穿电压高达900V，为离线式开关电源、功率因数校正等高压场合提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的通态损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷Qg和输入电容Ciss均得到良好控制，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率。其栅源电压耐受范围达±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取此型号及相关技术支持。

在接口与关键参数上，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热能力。其连续漏极电流在壳温条件下额定为3A，最大功耗为60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。其阈值电压Vgs(th)设计合理，有助于防止误开启，并兼容常见的驱动IC输出电压。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。

基于其高压、高效和快速开关的特性，STD4N90K5非常适合于一系列要求严苛的应用场景。它是构成反激式、正激式开关电源初级侧功率开关的理想选择，广泛应用于适配器、工业电源和LED驱动电源中。在功率因数校正电路中，其高耐压和快速恢复特性有助于提升能效并满足谐波标准。此外，它也适用于电机驱动辅助电源、镇流器以及高压DC-DC转换器等场合。其稳健的设计和宽温度工作范围，使其能够满足工业级和消费级产品对性能与可靠性的双重需求。

• 型号:STD4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括900V的漏源电压和3A的连续漏极电流，专为高压、高效功率转换应用而设计。

其技术亮点在于实现了高耐压与低导通特性的优化结合。在10V栅极驱动下，器件具备较低的导通电阻，有助于减少通态损耗。同时，优化的栅极电荷和输入电容参数确保了快速的开关性能，从而降低开关损耗并提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和±30V的栅源电压耐受能力，进一步保障了其在复杂应用环境中的可靠性与鲁棒性。