STL28N60DM2

STL28N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的POWERFLAT 8x8封装技术。该器件基于成熟的平面MOSFET工艺构建，其核心设计旨在实现高功率密度与卓越的电气性能。其架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，确保在紧凑的封装内实现高效的电流处理能力，这对于现代高集成度、小尺寸的电源与电机驱动设计至关重要。

该器件的一个突出特性是其高达21A的连续漏极电流（I_D）能力（在特定壳温条件下），同时具备60V的漏源击穿电压（V_{DSS），这使其能够在多种中压应用场景中稳定工作。POWERFLAT 8x8封装不仅提供了优异的散热性能，通过其裸露的焊盘将热量高效传导至PCB，还显著减小了占板面积，有利于实现更轻薄的产品设计。其开关特性经过优化，旨在降低开关损耗，提升整体系统效率。}

在关键电气参数方面，低导通电阻是其主要优势之一，这直接转化为更低的传导损耗和更高的能效。其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）等动态参数也经过精心设计，有助于简化驱动电路设计，并实现快速、干净的开关动作。对于需要可靠供应链的客户，通过ST一级代理可以获得原厂正品保障与全面的技术支持。

凭借其稳健的性能，STL28N60DM2非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的领域。典型应用包括DC-DC转换器（如同步整流、降压或升压拓扑）、电机驱动与控制（如无人机、电动工具、风扇中的有刷或无刷直流电机驱动），以及各类电源管理模块和负载开关。它是工程师在开发高效、紧凑型功率电子系统时的可靠选择。

• 型号:STL28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:-
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STL28N60DM2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用POWERFLAT 8x8封装。该器件核心规格包括60V的漏源电压和高达21A的连续漏极电流处理能力，专为高功率密度应用而设计。

其封装技术提供了优异的散热性能，有助于在紧凑空间内实现高效的热管理。优化的电气参数旨在降低导通与开关损耗，提升系统整体效率，使其成为中压、中高电流开关应用的理想解决方案。