STB15N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STB15N80K5是一款采用先进SuperMESH5技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过精细的单元结构和创新的制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，为高效率、高频率的功率转换应用提供了坚实的物理基础。

在功能特性上，STB15N80K5展现出卓越的性能。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌和开关瞬态过程中的可靠性。在25°C壳温条件下，器件能够连续通过高达14A的漏极电流，并具备190W的功率耗散能力，确保了强大的功率处理性能。尤为关键的是，其在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值非常低，这一特性直接转化为更低的导通压降和发热量，提升了整体能效。

该MOSFET的接口与参数设计充分考虑了易用性与稳定性。其栅极门槛电压（Vgs(th)）典型值适中，确保了驱动的便捷性，同时±30V的最大栅源电压提供了宽裕的驱动安全区。32nC（典型值）的低栅极总电荷（Qg）与1100pF的输入电容（Ciss）共同作用，使得开关速度更快，驱动电路的损耗得以降低，特别有利于高频开关电源的设计。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STB15N80K5非常适用于要求严苛的功率电子领域。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器和LED驱动、以及各类电机驱动和逆变器系统。在这些应用中，它能够有效提升系统效率、功率密度和长期运行稳定性，是工程师设计高性能、高可靠性功率转换方案的优选器件之一。

• 型号:STB15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 想获取STB15N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STB15N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压和14A的连续漏极电流能力，结合375毫欧的低导通电阻，为高压大电流应用提供了高效的功率开关解决方案。

其性能特点还包括32nC的低栅极电荷和优化的电容特性，这有助于降低开关损耗，提升系统在高频下的工作效率。器件采用D2PAK封装，最大功耗达190W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在工业级功率转换、电源及电机驱动等应用中的高可靠性和鲁棒性。