STL36N60M6

STL36N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时优化了开关过程中的电荷特性，从而为高效率、高频率的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压应用中表现突出。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流输入及功率因数校正（PFC）电路所产生的高压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达25A，展现出强大的电流处理能力。尤为重要的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、12.5A电流条件下典型值仅为110毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在44.3nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，提升开关频率潜力。

在接口与参数方面，STL36N60M6采用表面贴装的PowerFlat HV（8x8）封装。这种封装具有极低的热阻和寄生电感，不仅优化了散热性能，确保在高达160W（Tc）的功率耗散下稳定工作，还有助于抑制高频开关过程中的电压过冲和振铃，提升系统可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，为设计提供了灵活性。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。如需获取样品或进行批量采购，可以咨询官方授权的ST代理商。

凭借其高压、大电流、低损耗及优异的封装特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）初级侧、工业电机驱动的逆变器模块、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）的功率级。它是工程师在开发新一代紧凑型、高效率电源解决方案时的理想功率开关选择。

• 型号:STL36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 想获取STL36N60M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的垂直架构技术，旨在为高压应用提供卓越的能效与可靠性。

其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压和25A的连续漏极电流，确保了强大的功率处理能力。关键优势在于极低的导通电阻（典型值110mΩ @ 10V, 12.5A）与优化的栅极电荷（最大值44.3nC @ 10V）相结合，这显著降低了传导与开关损耗，有助于提升整体系统效率。器件采用低热阻的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达160W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业与消费电子环境。