STW15NK90Z

STW15NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低单位面积的导通损耗，同时保持优异的开关性能和坚固的雪崩耐量，为高压开关应用提供了一个高效可靠的半导体解决方案。

该器件具备一系列突出的功能特性。其900V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及电力电子系统中常见的高压应力和电压尖峰，提供充裕的设计裕量。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为550毫欧（@7.5A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于实现快速的开关瞬态，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，STW15NK90Z采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达15A，最大允许结温（Tj）为150°C，配合高达350W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛工况下的稳定运行。栅源电压（Vgs）支持±30V的最大范围，增强了驱动的灵活性。用户可以通过官方ST代理获取完整的数据手册、评估板和技术支持，以加速设计进程。

凭借高耐压、低导通电阻和稳健的封装，STW15NK90Z非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主逆变桥、工业电机驱动和变频器中的功率开关、不同断电源（UPS）以及太阳能逆变器的DC-AC转换级。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强整体方案的长期可靠性。

• 型号:STW15NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:256 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW15NK90Z是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于结合了900V的高漏源电压（Vdss）与低至550毫欧的导通电阻（Rds(on)），这得益于其先进的SuperMESH技术，显著降低了功率开关应用中的传导损耗。

该器件在25°C壳温下可支持15A的连续漏极电流，最大功率耗散能力达350W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和高可靠性。其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现高效率的快速开关，适用于对能效和功率密度有严格要求的场合。