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STH13009

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 12A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,STH13009的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STH13009的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STH13009是ST意法半导体推出的一款高性能NPN型双极性功率晶体管(BJT),采用经典的TO-220-3通孔封装,专为高电压、大电流的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的平面工艺技术,确保了在高达400V的集射极电压和12A的集电极电流条件下,依然能提供稳定可靠的性能表现。该器件内部结构经过优化,旨在降低饱和压降并提升功率处理能力,使其成为离线式电源、电机驱动等严苛环境下的理想选择。

在功能特性方面,该晶体管展现出卓越的电气性能。其集电极-发射极击穿电压(VCEO)高达400V,能够有效应对电网波动或感性负载产生的电压尖峰,提升了系统的鲁棒性。最大集电极电流(IC)为12A,配合最大100W的功耗能力,赋予了它强大的功率开关和驱动潜力。其直流电流增益(hFE)在5A、5V条件下最小值为18,保证了在较大工作电流时仍具备足够的电流驱动能力,有利于简化基极驱动电路的设计。此外,在2.4A基极电流、12A集电极电流条件下,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))典型值仅为2V,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升整体能效,减少发热。

该器件提供了标准的三引脚接口(发射极、基极、集电极),安装方式为通孔焊接,TO-220封装具有良好的机械强度和散热特性,便于安装散热器以应对高功率耗散。其结温(TJ)最高可承受150°C,确保了在高温环境下的工作稳定性。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理获取原装正品及全面的应用指导。STH13009典型的应用场景涵盖开关模式电源(SMPS)中的功率开关、电子镇流器、电机控制驱动器、不间断电源(UPS)以及音频功率放大器的输出级。其高耐压和大电流特性使其特别适用于AC-DC转换器的初级侧开关、半桥或全桥拓扑结构,以及需要直接驱动中小型交流或直流电机的场合。

  • 型号:STH13009
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 12A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):2V @ 2.4A,12A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):18 @ 5A,5V
  • 功率 - 最大值:100 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取STH13009的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH13009是ST意法半导体生产的一款NPN型功率双极性晶体管,采用TO-220封装。该器件设计用于高耐压与大电流场景,其核心电气参数包括400V的集射极击穿电压和12A的最大集电极电流,提供了坚实的电压阻断与功率处理能力。

其技术亮点在于较低的饱和压降(典型值2V @ 12A)和高达100W的最大功耗,这有助于减少导通损耗并提升系统效率。最小直流电流增益为18 @ 5A,确保了在功率级应用中具备有效的电流驱动。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及功率放大等应用的可靠选择。

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