STI24NM60N

STI24NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直型沟槽栅极架构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在高压条件下实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。其结构设计有效降低了寄生电容，特别是米勒电容（Crss），从而增强了器件在硬开关应用中的抗干扰能力和稳定性。

作为MDmesh II系列的一员，该MOSFET的核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和高达17A的连续漏极电流（Id）承载能力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为190毫欧（@8A），这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在46nC（@10V），配合适中的输入电容（Ciss），有助于降低驱动电路的功率需求，简化设计并提升开关速度。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，该器件在-55°C至150°C的宽结温（Tj）范围内保证性能，最大功耗为125W（Tc）。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V（@250A），确保了可靠的关断特性。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于在需要高可靠性的功率板上进行安装和热管理。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，STI24NM60N非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器拓扑，如反激式、正激式变换器。它也常见于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和照明镇流器等对效率和可靠性要求严苛的场合。尽管其零件状态标注为不适用于新设计，但在许多现有设备和维护、升级项目中，它依然是一个经过市场验证的、性能可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STI24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI24NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧，有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为46nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在提升系统整体效率方面表现突出。器件采用I2PAK通孔封装，确保了良好的功率耗散能力（125W）和安装可靠性，适用于要求严苛的工业与电源环境。