STI25NM60ND

STI25NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高功率应用环境设计，旨在提供优异的开关性能和导通效率。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），显著减少了开关损耗，从而提升了系统整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在高压母线环境下的可靠隔离与工作稳定性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达21A，配合仅160毫欧的最大导通电阻（Rds(on)）（测试条件为10V Vgs, 10.5A Id），有效降低了导通状态下的功率损耗，这对于提升电源转换效率至关重要。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在80nC（@10V），有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在电气参数方面，STI25NM60ND展现了全面的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的瞬态冲击，增强了抗干扰能力。输入电容（Ciss）最大值为2400pF（@50V），与较低的Qg参数共同优化了开关速度。器件的最大结温（Tj）为150°C，在提供高达160W（Tc）功率耗散能力的同时，保证了在严苛热环境下的长期工作可靠性。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和供应保障。

凭借其高压、低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于需要高效功率处理的工业级应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、电机驱动与控制的逆变器模块、不同断电源（UPS）系统以及电焊机等工业电源设备。其I2PAK封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于在功率板上进行安装和热管理。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能指标，对于理解高压MOSFET的技术演进和进行现有系统的维护与备件选型仍具有重要参考价值。

• 型号:STI25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STI25NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STI25NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和21A的连续漏极电流（Id），为高压高功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至160毫欧，配合仅80nC的栅极电荷（Qg），有效实现了低导通损耗与快速开关特性的平衡。这些参数共同指向高效的能量转换，适用于对能效要求严苛的场合。

此外，器件支持高达150°C的结温工作，功率耗散能力达160W，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，满足工业级电源与驱动系统的设计要求。