STI260N6F6

STI260N6F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺平台构建。该器件采用通孔安装的I2PAK封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟槽栅极结构，在保持快速开关特性的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在功率转换系统中实现了更低的传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力和极低的导通阻抗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达120A，而在10V栅极驱动电压、60A漏极电流时，导通电阻典型值仅为3毫欧。这种低Rds(on)特性直接转化为更低的功率耗散，其最大功率耗散能力为300W。同时，其栅极电荷Qg最大值控制在183nC @ 10V，这有助于降低驱动电路的功率需求并提升开关速度，对于高频开关应用至关重要。其漏源击穿电压为75V，栅源电压最大可承受±20V，提供了稳健的操作裕量。

在接口与参数方面，STI260N6F6的阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容Ciss最大值为11400pF @ 25V，与其他参数共同决定了器件的动态性能。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的环境条件。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，仍可能获取库存或获得替代型号的技术支持。

基于其高电流、低阻抗和强大的功率处理能力，这款MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的领域。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、大电流DC-DC转换器、电机驱动控制器（如伺服驱动和变频器）、以及不间断电源（UPS）和电焊机中的功率开关模块。在这些场景中，其优异的电气参数有助于提升系统整体能效，减少散热设计压力，并增强功率级的鲁棒性。

• 型号:STI260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI260N6F6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装。该器件核心优势在于其高电流承载与低损耗特性，在壳温25°C下连续漏极电流达120A，并在10V栅极驱动、60A电流条件下实现仅3毫欧的极低导通电阻，最大功率耗散为300W。

其电气参数针对高效功率开关进行了优化，栅极电荷最大值仅为183nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。75V的漏源电压与±20V的栅源电压提供了充足的设计裕度。这些特性使其成为大电流、高效率功率转换系统的理想选择，适用于开关电源、电机驱动及DC-DC转换器等应用领域。