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STGWT38IH130D

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 1300V 63A TO-3P
原厂封装:封装:TO-3P
优势价格,STGWT38IH130D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWT38IH130D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGWT38IH130D是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用成熟的TO-3P通孔封装,集成了高性能的IGBT单元与快速恢复二极管,构成了一个紧凑且坚固的功率开关解决方案。其内部架构经过优化,旨在平衡导通损耗与开关损耗,在1300V的高压平台上实现了较低的饱和压降和可控的开关特性,为工业级功率转换应用提供了可靠的核心。

该器件的核心优势在于其出色的高压大电流处理能力。额定集电极-发射极电压高达1300V,最大连续集电极电流为63A,脉冲电流能力可达125A,这使其能够从容应对工业电机驱动、不间断电源(UPS)等场合中常见的电压尖峰和负载波动。在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=20A),其集电极-发射极饱和压降Vce(on)最大值仅为2.8V,这意味着在导通状态下的功耗较低,有助于提升系统整体效率并简化散热设计。其关断开关能量为3.4mJ,配合标准电平驱动,实现了较快的关断速度,有助于降低开关过程中的损耗。

在电气参数方面,STGWT38IH130D的最大功耗为250W,栅极电荷为127nC,这为驱动电路的设计提供了明确的参考。器件在25°C下的典型关断延迟时间为284ns,确保了开关时序的精准控制。宽广的结温工作范围(-55°C至150°C)使其能够适应苛刻的环境要求。标准的TO-3P封装提供了优异的导热和机械性能,便于安装在散热器上,实现高效的热管理。对于需要获取官方技术支持和正品保障的客户,建议通过ST授权代理进行采购咨询。

凭借其高耐压、大电流和稳健的封装特性,STGWT38IH130D主要面向要求严苛的工业动力领域。它是中大功率交流电机驱动器、变频器的理想选择,适用于风机、水泵、压缩机等设备的调速控制。同时,它也适用于三相不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接电源等需要高效、可靠功率开关的场合。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计代表了高压IGBT在特定时期的技术水平,对于现有系统的维护或特定备件需求而言,其参数规格仍具有重要的参考价值。

  • 型号:STGWT38IH130D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3P
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 1300V 63A TO-3P
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1300 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):63 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值:250 W
  • 开关能量:3.4mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:127 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:-/284ns
  • 测试条件:960V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3P
  • 想获取STGWT38IH130D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGWT38IH130D是ST意法半导体推出的一款高压大功率IGBT,采用TO-3P封装。其核心规格包括1300V的集射极击穿电压和63A的最大连续集电极电流,脉冲电流能力更可达125A,展现出强大的功率处理能力。

该器件在导通特性上表现突出,在15V栅极电压、20A集电极电流条件下,饱和压降最大值仅为2.8V,有助于降低导通损耗。其最大功耗为250W,关断开关能量为3.4mJ,结合127nC的栅极电荷,为高效、快速的开关操作提供了基础,适用于对效率和动态性能有要求的功率转换场景。

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