STI270N4F3

作为ST意法半导体Automotive, AEC-Q101系列中的一员，STI270N4F3是一款采用先进STripFET III技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能，其核心在于通过精细的单元结构和沟槽工艺，在保证高可靠性的前提下，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。

在功能表现上，这款MOSFET的突出特性是极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、80A漏极电流条件下，其最大值仅为2.6毫欧，这直接转化为更高的系统效率和更低的功率损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在150nC @ 10V，与输入电容（C_iss）特性相结合，确保了快速的开关转换能力，有助于降低开关损耗并提升高频应用的可行性。器件具备高达160A（T_c）的连续漏极电流处理能力和330W（T_c）的最大功率耗散，展现了强大的功率处理与散热潜力。

接口与参数方面，STI270N4F3采用标准的通孔安装I2PAK封装，提供了良好的机械强度和散热路径。其额定漏源电压（V_DSS）为40V，栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±20V，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，这些参数共同定义了其稳健的驱动与工作窗口。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）以及符合AEC-Q101标准，使其能够应对严苛的环境挑战。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及其技术支持。

得益于其高性能与高可靠性设计，该器件非常适合应用于对效率和耐用性有严格要求的领域。在汽车电子中，它是电机驱动（如水泵、风扇）、DC-DC转换器以及负载开关的理想选择。在工业电源和服务器电源系统中，可用于同步整流和功率分配模块，以提升整体能效。此外，在需要大电流开关控制的UPS（不间断电源）和电焊设备等工业应用中，也能发挥其高电流处理能力和低导通损耗的优势。

• 型号:STI270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI270N4F3是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装和先进的STripFET III技术。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.6mΩ @ 80A, 10V）与优化的栅极电荷（150nC @ 10V），这共同实现了卓越的功率转换效率与快速的开关性能。

该器件额定电压为40V，连续漏极电流高达160A（T_c），最大功率耗散为330W（T_c），并支持-55°C至175°C的宽结温范围。这些参数使其能够稳健地处理大功率负载，同时满足汽车及工业应用中对高可靠性和耐久性的严苛要求。