STI28N60M2

作为ST意法半导体MDmesh M2产品系列中的一员，STI28N60M2是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET。该器件基于先进的MDmesh M2架构，这一架构通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其核心设计旨在平衡开关性能与导通损耗，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），为高效率开关应用提供了坚实的物理基础。

在功能特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能组合。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在高压环境下的可靠工作。在25°C壳温下，连续漏极电流（Id）额定值为22A，提供了可观的电流处理能力。尤为关键的是，在10V驱动电压、11A漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为150毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，并支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。对于开关电源设计工程师而言，其最大栅极电荷（Qg）在10V条件下仅为36nC，结合1440pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升开关频率并简化栅极驱动电路设计。

该器件采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散为170W（基于壳温）。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，能够适应严苛的环境要求。这些接口与参数特性使其能够轻松集成到各种功率拓扑中。无论是作为ST芯片代理进行选型推荐，还是由终端客户直接设计，都需要综合考虑其电气参数与热特性，以确保在目标应用中的最优性能和长期可靠性。

基于其高压、大电流、低损耗和快速开关的特性，STI28N60M2非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS），例如服务器电源、通信电源和工业电源的PFC（功率因数校正）级及DC-DC变换器的主开关管。此外，它在电机驱动控制、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等工业与新能源领域的硬开关和软开关拓扑中，也能作为核心功率开关元件，有效提升整机能效和功率等级。

• 型号:STI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI28N60M2是ST意法半导体推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2系列。该器件设计用于高压高效开关应用，核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下22A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至150毫欧（@11A），有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为36nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。其采用I2PAK（TO-262）通孔封装，提供良好的功率处理与散热能力。