STI30N65M5

STI30N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺改进，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性与雪崩耐量，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和浪涌冲击。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达22A，展现出强大的电流处理能力。其关键特性之一是极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、11A漏极电流条件下，R_DS(on)典型值仅为139毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极总电荷（Q_g）在10V条件下最大值为64nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，对于提升开关电源的工作频率和功率密度尤为有利。

器件采用标准的I2PAK（TO-262）通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为140W（壳温条件下）。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，提供了设计上的灵活性。其结温（T_J）最高可工作至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的技术支持和库存信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STI30N65M5非常适用于对效率和可靠性有较高要求的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关模式的DC-DC转换器、以及电机驱动和照明镇流器等应用场景。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它依然是构建高效、紧凑型功率解决方案的一个经典且经过验证的选择。

• 型号:STI30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI30N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用通孔I2PAK封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为139毫欧 @ 11A，能有效降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为64nC @ 10V，有助于实现高效的开关操作。这些参数共同使其成为追求高效率和可靠性的功率转换系统的理想选择。