STI33N60M2

STI33N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡。其核心在于第二代“超级结”（Super-Junction）技术的增强，通过精密的电荷平衡工艺，显著降低了在高电压下的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和26A的连续漏极电流（I_D）能力，确保了其在高压环境下的可靠运行。其导通电阻在10V栅极驱动电压、13A漏极电流条件下典型值仅为125毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的通态损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为45.5nC，结合优化的内部栅极电阻，有效降低了开关过程中的驱动损耗，并简化了栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。

在电气参数方面，该器件设计有±25V的宽栅源电压（V_GS）容限，增强了抗干扰能力。其阈值电压（V_GS(th)）典型值为4V，提供了良好的噪声抑制性能。封装采用标准的I2PAK（TO-262）通孔形式，具有良好的机械强度和散热特性，在管壳温度（T_C）下最大功耗可达190W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STI33N60M2非常适用于要求苛刻的功率电子应用。其典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主变换拓扑、不间断电源（UPS）、电机驱动与变频器、以及电焊机等高功率密度、高效率的能源转换系统。它是工程师在设计和优化高压、大电流功率级时的理想选择。

• 型号:STI33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1781 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI33N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的超级结技术，核心优势在于其600V的漏源电压（V_DSS）和低至125毫欧的导通电阻（R_DS(on)），在保证高耐压的同时，显著降低了传导损耗。

其26A的连续漏极电流（I_D）能力和仅45.5nC的栅极电荷（Q_g），实现了优异的电流处理能力与快速的开关特性之间的平衡。封装于I2PAK（TO-262）通孔封装内，最大功耗190W（T_C），工作温度范围-55°C至150°C，为高可靠性、高效率的功率转换设计提供了关键解决方案。