STH290N4F6-2AG

作为ST意法半导体Automotive, AEC-Q101, STripFET产品家族的一员，STH290N4F6-2AG是一款采用先进功率MOSFET技术的N沟道器件。其核心架构基于STripFET技术平台，该技术通过优化单元密度和沟槽栅极设计，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间出色的性能平衡。这种设计使得器件在提供极低导通损耗的同时，也保证了高效的开关性能，这对于提升系统整体能效和功率密度至关重要。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至1.7毫欧（在45A条件下），这一特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。其栅极电荷（Q_G）最大值仅为115nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得系统能够在更高频率下稳定工作。此外，其漏源电压（V_DSS）额定为40V，连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达180A，峰值功率处理能力强劲，最大功率耗散可达300W。

在接口与参数方面，STH290N4F6-2AG采用表面贴装型H2PAK-2封装，这种封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，非常适合高电流应用。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并且符合AEC-Q101车规标准，确保了在严苛环境下的高可靠性和长期稳定性。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高电流能力、低导通电阻和车规级可靠性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。其主要应用方向包括汽车领域的电机驱动（如电动助力转向、燃油泵）、DC-DC转换器（尤其是同步整流和负载开关）、以及工业电源和电池管理系统（BMS）中的高边/低边开关。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少散热需求，并保障整个动力或电源链路的稳健运行。

• 型号:STH290N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH290N4F6-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续承载高达180A（T_C）的漏极电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压和45A电流条件下，R_DS(on)最大值仅为1.7毫欧，这能显著降低功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_G 最大值115nC @ 10V）确保了快速的开关特性和较低的驱动损耗。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，结温范围覆盖-55°C至175°C，专为要求高可靠性、高效率的严苛应用环境而设计。