STF25N80K5

STF25N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰，提供了充裕的设计裕量。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19.5A，支持较高的功率处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为260毫欧（@19.5A），这一低导通阻抗直接转化为更低的通态损耗，有助于减少发热并提升能效。此外，最大栅极电荷（Qg）控制在40nC（@10V），结合1600pF的输入电容（Ciss），意味着该器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并降低开关损耗。

在接口与可靠性方面，STF25N80K5采用通孔安装的TO-220FP封装，这是一种广泛使用且散热性能良好的封装形式，其最大功率耗散为40W（Tc）。器件支持高达±30V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链保障的设计项目，通过正规的ST授权代理进行采购是确保产品原装正品和获取全面技术支持的重要途径。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性组合，该器件非常适合应用于对效率和可靠性有严苛要求的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动和逆变器、不间断电源（UPS）、照明镇流器以及各类离线式电源转换器。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能源利用率。

• 型号:STF25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF25N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数表现为800V的漏源电压（Vdss）和19.5A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为260毫欧，有助于显著降低通态损耗。同时，最大40nC的栅极电荷（Qg）确保了较快的开关速度，有利于提升系统频率并减少开关损耗。这些特性使其成为高效率电源和功率转换设计的理想选择。