STI34N65M5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STI34N65M5是一款采用先进MDmesh V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，其核心在于通过创新的单元结构和外延层工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g）。这种架构上的平衡，使得器件在开关速度、导通损耗和电磁干扰（EMI）性能之间取得了优异的折衷，特别适合在高频开关应用中提升整体能效。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了坚固的电压裕量，增强了系统在电网波动或感性负载开关过程中的可靠性。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达28A，而导通电阻在10V栅源电压（V_GS）、14A电流条件下典型值仅为110毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。其栅极电荷（Q_g）最大值仅为62.5nC（@10V），结合±25V的宽泛栅源电压范围，意味着驱动电路的设计更为简便，能够实现快速开关并降低驱动损耗，这对于提升开关电源的频率和功率密度至关重要。

器件采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为190W（T_C）。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的技术支持和库存信息。尽管该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和验证过的性能参数，使其在特定升级或维护项目中仍具参考价值。

基于其高电压、低损耗和高开关频率的特性，STI34N65M5非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、LLC谐振转换器以及电机驱动中的逆变桥臂。它能够有效服务于工业电源、服务器电源、通信基础设施电源以及大功率照明驱动等应用场景，帮助设计工程师实现更紧凑、更高效的能源转换解决方案。

• 型号:STI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STI34N65M5是意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（V_DSS）和28A（T_C）的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：110毫欧（@10V，14A）的低导通电阻确保了高效的功率传输和低导通损耗，而62.5nC（@10V）的低栅极电荷则有利于实现高速开关并降低驱动需求，从而提升整体系统效率。器件采用I2PAKFP通孔封装，散热性能良好，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。