STI35N65M5

STI35N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和垂直导电沟道，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。

该器件的显著特性在于其卓越的性能参数。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达27A，最大功率耗散为160W，确保了强大的电流处理能力和可靠性。其导通电阻在10V驱动电压、13.5A电流条件下最大仅为98毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为83nC，结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STI35N65M5的栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大为5V @ 250A，具备良好的噪声抑制能力。器件最高结温（TJ）为150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STI35N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业电源的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、电机的驱动与控制，以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换系统。其I2PAK封装提供了良好的散热性能和机械强度，适合通过散热器进行有效热管理的功率应用。

• 型号:STI35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI35N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和27A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，有效减少了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变器等高效能转换设计的理想选择。