STI360N4F6

STI360N4F6是ST意法半导体推出的一款面向严苛汽车电子应用的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET VI技术和DeepGATE结构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持高可靠性的同时，显著降低了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这对于提升系统效率和功率密度至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力与低损耗的平衡。在25°C壳温下，其连续漏极电流高达120A，而在10V驱动电压、60A电流条件下，导通电阻典型值仅为1.8毫欧。这种低Rds(on)特性直接转化为更低的传导损耗，尤其适用于大电流开关应用。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在340nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。

在电气参数方面，STI360N4F6的漏源击穿电压（Vdss）为40V，适用于常见的12V和24V汽车电源系统。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在极端环境温度下的稳定运行。该器件采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，具有良好的散热性能和机械强度，最大功率耗散能力为300W（Tc）。值得注意的是，该产品符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，并已进入停产状态，在选型时需关注库存与替代方案，建议通过官方授权的ST一级代理进行供应链咨询。

凭借其高电流、低阻抗和汽车级的可靠性，这款MOSFET主要瞄准汽车领域的功率控制应用。其典型应用场景包括发动机管理系统中的燃油喷射驱动器、变速箱控制单元（TCU）、电动助力转向（EPS）系统，以及DC-DC转换器和电池管理模块中的高边或低边开关。在这些应用中，器件需要频繁开关并承受较大的浪涌电流，其优异的性能有助于提升整个动力总成或车身电子系统的效率和响应速度。

• 型号:STI360N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI360N4F6是ST意法半导体基于STripFET VI技术开发的汽车级N沟道MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用，其核心优势在于极低的导通电阻与强大的电流处理能力。

在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.8毫欧（@60A），配合高达120A（Tc）的连续漏极电流，能显著降低功率系统中的传导损耗。器件采用I2PAK封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子对可靠性的严苛要求。