STI6N80K5

STI6N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在800V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的电气性能和可靠性，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

得益于SuperMESH5技术的加持，该MOSFET展现出卓越的性能特点。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2A电流条件下典型值仅为1.6欧姆，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，器件拥有极低的栅极电荷（Qg，最大值7.5nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值255pF @ 100V），这使得开关速度更快，开关损耗显著降低，并且降低了驱动电路的设计复杂度与功耗要求。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了充足的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STI6N80K5在壳温（Tc）条件下可支持高达4.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为85W。其开启阈值电压Vgs(th)最大为5V @ 100A，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用坚固的I2PAK（TO-262）通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保产品正品与供货稳定。

综合其高耐压、低损耗及快速开关特性，STI6N80K5非常适用于需要高效能和高可靠性的离线式电源转换场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。其性能表现使其成为中功率高压开关设计中一个高效且经济的选择。

• 型号:STI6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI6N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合了低至1.6欧姆（@10V，2A）的导通电阻，为高压应用提供了优异的导通效率。

器件在开关性能上表现突出，其最大栅极电荷（Qg）仅为7.5nC，输入电容（Ciss）最大值为255pF，这确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗。采用I2PAK（TO-262）通孔封装，在壳温条件下支持4.5A连续电流和85W功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的功率处理能力和环境适应性。