STI6N95K5

STI6N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件集成了高性能的MOSFET与一个齐纳二极管，构成了一个坚固的单体结构，旨在为高压开关应用提供卓越的可靠性与效率。其核心架构通过优化的单元设计和创新的垂直结构，在实现高达950V击穿电压的同时，有效控制了芯片面积，从而在导通电阻与栅极电荷之间取得了优异的平衡，这对于降低开关损耗和提升系统整体能效至关重要。

该器件的功能特点突出体现在其高压处理能力和稳健性上。高达950V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够从容应对工业电源、照明系统等场合中常见的电压尖峰和浪涌，为设计提供了充裕的安全裕量。内部集成的齐纳二极管为栅极提供了有效的静电放电（ESD）保护，增强了器件在恶劣电气环境下的生存能力。采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，不仅提供了良好的机械强度和散热性能，也便于在需要高可靠性的功率板上进行焊接和装配。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购与咨询。

在关键电气参数方面，在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达9A，表明其具备可观的电流承载能力。这一特性结合其高压特性，使其特别适用于需要处理中等功率等级的高压场合。I2PAK封装固有的低热阻特性有助于将芯片产生的热量高效地传导至散热器，从而支持器件在连续工作状态下维持稳定的性能输出。其设计充分考虑了开关电源对动态性能的要求，旨在实现快速开关并减少开关过程中的能量损失。

基于其高压、中电流和集成保护的特点，STI6N95K5非常适合于一系列要求严苛的功率转换应用。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管，特别是在离线式反激、正激等拓扑结构中，用于AC-DC前端转换。此外，在电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源、以及UPS（不间断电源）系统中，它也能发挥关键作用。其坚固的设计也使其成为需要耐受高电压应力的工业照明和显示器电源的理想选择。

• 型号:STI6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI6N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道950V齐纳保护功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，将先进的MOSFET技术与集成的栅极保护齐纳二极管相结合，为高压开关应用提供了一个高度集成且可靠的解决方案。

其核心优势在于高达950V的击穿电压额定值和在壳温条件下9A的连续漏极电流承载能力。这些参数确保了器件在应对输入电压波动和浪涌时具有出色的稳健性，同时能够高效处理中等功率等级的负载。内部齐纳二极管增强了栅极的ESD防护，提升了系统在复杂电磁环境中的可靠性。