VNS1NV04DTR-E

VNS1NV04DTR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的OMNIFET II系列中的一款集成式智能功率开关。该器件采用先进的VIPower M0-3技术制造，将功率N通道MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路集成在单片硅芯片上。这种单片集成架构消除了对外部栅极驱动电路和续流二极管的需求，不仅显著简化了外围电路设计，节省了PCB空间和物料成本，还通过芯片内部的优化协同工作，提升了系统的整体可靠性和鲁棒性。

作为一款双通道低边开关，其核心功能在于提供两个独立的、受控的功率输出路径。每个通道均能承受高达36V的负载电压，并持续提供最大1.7A的电流驱动能力，其导通电阻典型值低至250毫欧，确保了在驱动负载时具有极低的导通损耗和压降，提升了能效。其输入接口采用非反相的开/关逻辑控制，兼容标准的CMOS/TTL电平，便于与微控制器或逻辑电路直接连接，实现简洁的数字控制。

该器件的一大技术亮点在于其内置的、无需外部供电（Vcc/Vdd）的智能保护机制。它集成了固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位等多重故障保护功能。当输出电流超过预设限值或芯片结温超过安全阈值时，内部电路会迅速动作，关断功率MOSFET以保护芯片和负载免受损坏；同时，集成的过压钳位电路能够有效抑制感性负载关断时产生的电压尖峰，增强了在恶劣电气环境下的生存能力。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，采用表面贴装的8-SO封装，适合自动化生产，满足工业级应用的严苛环境要求。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其稳健的驱动能力和完善的保护特性，VNS1NV04DTR-E非常适合于需要可靠开关控制的各类低边驱动应用场景。典型应用包括汽车电子系统中的继电器、电磁阀、小型电机及灯泡的驱动，工业自动化领域的PLC输出模块、传感器供电开关，以及办公设备中的负载功率管理。它为工程师提供了一种高度集成、即插即用的负载驱动解决方案，尤其适用于空间受限且对系统可靠性要求高的设计。

• 型号:VNS1NV04DTR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:2
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:1.7A
• 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 想获取VNS1NV04DTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS1NV04DTR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列的一款双通道智能低边驱动器，采用VIPower技术单片集成。该器件设计用于直接由逻辑信号控制，无需外部供电（Vcc/Vdd），每个通道可驱动高达36V、1.7A的负载，并具备低至250毫欧的典型导通电阻，有效降低了功率损耗。

其核心价值在于内置的全面保护功能，包括固定限流、过温关断和过压钳位，确保了在驱动感性或容性负载时的高可靠性。宽泛的工作结温范围（-40°C至150°C）和8-SO表面贴装封装，使其成为汽车、工业控制及办公自动化等领域中，要求紧凑、高效且坚固的负载开关应用的理想选择。