STFU13N80K5

STFU13N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通损耗的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性和坚固性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中常见的高压应力和电压尖峰，确保了系统的可靠性与长期稳定性。在导通特性方面，其在10V驱动电压、6A电流条件下的导通电阻典型值低至450毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升整体能效并减少热设计压力。其栅极电荷（Qg）典型值仅为29nC，结合适中的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合工作在高频开关模式下的电源拓扑。

器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力为35W（基于壳温）。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境温度要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链可靠的重要途径。

凭借800V的耐压、12A的连续电流能力以及MDmesh K5技术带来的优异性能，STFU13N80K5非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与逆变器、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升功率密度和系统效率，是工程师设计高性能、高可靠性功率系统的优选功率开关器件之一。

• 型号:STFU13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU13N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），具备处理高压大电流应用的能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合，典型栅极电荷（Qg）仅为29nC，有助于降低开关损耗。采用TO-220FP封装，提供通孔安装选项，最大功率耗散为35W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。