STP11N65M2

STP11N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代改进的超结（Super-Junction）技术，通过精密的电荷平衡控制，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时维持了快速开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力与开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7A，结合仅670mΩ（典型值）的低导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间具有极低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极总电荷（Qg）低至12.5nC，这直接降低了开关过程中的驱动损耗，有助于提升系统整体效率，尤其在高频开关应用中优势明显。

在电气参数方面，STP11N65M2的输入电容（Ciss）为410pF，与低栅极电荷共同贡献了快速的开关响应。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声免疫能力。器件采用经典的TO-220通孔封装，具有优异的导热路径，在壳温（Tc）下最大功耗可达85W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性与长寿命。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于要求苛刻的功率电子领域。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换级。它是工程师在构建高效、紧凑且可靠的650V级功率解决方案时的优选器件之一。

• 型号:STP11N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:410 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP11N65M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP11N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）额定值与低至670mΩ的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于先进的超结技术，能有效降低导通损耗。

在7A的连续漏极电流（Id）额定值下，器件具备优秀的电流处理能力。其低栅极电荷（Qg: 12.5nC）特性显著减少了开关损耗，支持更高频率的开关操作，从而有助于提升电源系统的功率密度和整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与85W的功率耗散能力，确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。