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BU508AF

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 700V 8A TO-3PF
原厂封装:封装:TO-3PF
优势价格,BU508AF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BU508AF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BU508AF是ST意法半导体推出的一款高压、大电流NPN双极性功率晶体管,采用先进的ISOWATT218FX封装,专为要求苛刻的功率开关和线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的平面工艺技术,通过优化的掺杂和结构设计,在单芯片上实现了高击穿电压与大电流处理能力的平衡。该器件内部集成了快速恢复二极管,有助于在感性负载开关过程中抑制电压尖峰,提升系统的可靠性与鲁棒性。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力上。高达700V的集射极击穿电压使其能够从容应对市电整流后的高压环境或工业电源中的电压波动。8A的连续集电极电流能力则确保了其在驱动电机、电磁阀或作为开关电源主开关管时,能够承载足够的负载电流。其饱和压降在典型工作条件下(1.6A基极电流,4.5A集电极电流)最大仅为1V,这意味着在导通状态下的功耗较低,有助于提升整体能效并减少散热需求。此外,其直流电流增益(hFE)在特定条件下最小值为10,提供了足够的驱动能力,简化了前级驱动电路的设计。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持和原厂供货保障。

在接口与关键参数方面,BU508AF采用通孔安装的ISOWATT218FX封装,该封装具有良好的电气隔离性能和散热特性,最大结温(Tj)可达150°C,最大功耗为50W,为工程师在紧凑空间内进行热管理提供了设计裕量。其集电极截止电流低至200A,体现了良好的关断特性。这些参数共同定义了一个适用于高压、中功率场景的稳健开关元件。

基于上述特性,BU508AF广泛应用于离线式开关模式电源(SMPS)的功率开关级、电子镇流器、电机控制驱动器、UPS(不间断电源)系统以及工业控制设备中的继电器或接触器替代电路。其高耐压特性使其特别适合用于220V/380V交流输入经整流滤波后的高压直流母线开关场合,是构建高效、可靠功率转换系统的关键元器件之一。

  • 型号:BU508AF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3PF
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 700V 8A TO-3PF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):700 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 1.6A,4.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):200A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值:50 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-3PF
  • 想获取BU508AF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BU508AF是ST意法半导体生产的一款NPN型高压功率双极性晶体管。该器件设计用于处理严苛的功率应用,其核心参数定义了卓越的电气性能:700V的集射极击穿电压提供了应对高压环境的安全裕量,而8A的最大集电极电流确保了强大的负载驱动能力。

在开关应用中,其最大仅1V的饱和压降有助于降低导通损耗,提升系统效率。封装于ISOWATT218FX通孔封装内,最大功耗50W且结温可达150°C,使其在要求高可靠性的工业电源、电机控制和离线式开关电源等中功率领域成为理想的选择。

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