STP14NK60Z

STP14NK60Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟道架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的单元几何结构和掺杂剖面，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时有效控制了寄生电容，从而在高频开关应用中兼顾了低导通损耗与低开关损耗。

该MOSFET具备600V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压应力环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达13.5A，配合仅500毫欧（@ 6A, 10V）的最大导通电阻，确保了在导通状态下极低的功率耗散，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。此外，最大栅极电荷（Q_g）仅为75nC，结合2220pF的输入电容，意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于简化栅极驱动设计并进一步提升开关速度。

器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力为160W（T_C）。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）保障了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获取完整技术资料的重要途径。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场及特定延续性项目中仍被广泛关注。

凭借高压、低导通电阻和快速开关的特性，STP14NK60Z非常适用于需要高效能功率转换的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动器和逆变器、以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效降低导通损耗，提升电源密度和系统整体能效。

• 型号:STP14NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP14NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和13.5A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值低至500毫欧，有助于最小化导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为75nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率的开关电源和电机驱动设计的理想选择。