STP27N60M2-EP

STP27N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心在于第二代增强型MDmesh技术，通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时优化了开关特性，使其在高频开关应用中能有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级电压环境下的高可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为20A，配合最大仅163毫欧的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为10A，10V），意味着在导通状态下能实现极低的功率耗散，提升整体能效。其栅极驱动设计友好，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.75V，而最大栅极电荷（Qg）仅为33nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计，降低对驱动电流的要求，从而加快开关速度并减少驱动损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其最大栅源电压（Vgs）支持±25V，提供了较宽的驱动安全裕量。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为1320pF，结合低Qg特性，共同优化了开关动态性能。器件的结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，适应严苛的环境要求。其最大功率耗散能力为170W（Tc），确保了在高功率应用中的稳定运行。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持和供应链服务。

凭借其高耐压、低损耗和坚固耐用的特性，STP27N60M2-EP非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及高频焊接设备等。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路和性能标杆，对于理解高压MOSFET的选型与电路优化仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP27N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为163毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在33nC，结合较低的输入电容，有利于实现快速开关并降低驱动电路负担，从而提升系统整体效率。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。