STI76NF75

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STI76NF75是一款采用N沟道技术设计的功率MOSFET。该器件基于先进的MOSFET（金属氧化物）工艺构建，其核心架构旨在实现高功率密度下的高效能量转换。其设计优化了单元结构，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中减少了传导损耗和开关损耗，提升了整体系统效率。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为75V，能够承受较高的反向电压，适用于多种电源拓扑。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达80A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，最大值仅为11毫欧，这一低导通电阻特性是降低功率损耗、提升效率的关键。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为160nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的损耗并提升开关速度，使其在高频开关应用中表现优异。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装的I2PAK封装，具有良好的机械强度和散热性能。其栅极驱动电压范围宽泛，最大栅源电压（Vgs）为±20V，为驱动电路设计提供了灵活性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）在25V条件下最大值为3700pF，是评估开关动态特性的重要参数。该器件在壳温条件下的最大功率耗散为300W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），确保了其在苛刻环境下的可靠运行。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借75V的耐压、80A的高电流能力以及低至11毫欧的导通电阻，STI76NF75非常适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用于DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及工业电源系统中的同步整流和开关电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在诸多现有设备和备件市场中仍具参考价值。

• 型号:STI76NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI76NF75是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其75V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流处理能力，能够胜任大功率应用场景。

其技术亮点在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为11毫欧 @ 40A。同时，160nC @ 10V的最大栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能，降低驱动损耗。这些参数共同确保了器件在高频开关电源、电机驱动等应用中，能够实现优异的能效转换与可靠的热管理。