STI8N65M5

STI8N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I2PAK封装，专为高效率、高可靠性的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在单晶元上实现了优异的动态特性与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，这使其在高压开关应用中能够有效降低传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的额定漏源电压（V_DSS）高达650V，确保了在工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的稳定工作裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为7A，结合70W的最大功率耗散能力，赋予了其处理可观功率的能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、3.5A漏极电流条件下典型值仅为600毫欧，这一低R_{DS(on)特性直接转化为更低的通态压降和发热，提升了系统整体能效。}

在开关性能方面，STI8N65M5展现了MDmesh V系列的低栅极电荷（Q_g）优势，在10V V_GS下最大栅极电荷仅为15nC。较低的Q_g与输入电容（C_iss）意味着驱动电路所需的充电电流更小，这不仅简化了栅极驱动设计，还有助于实现更高的开关频率，从而允许使用更小体积的磁性元件。其栅源阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力，而±25V的最大栅源电压则为驱动设计提供了安全边界。用户可通过正规的ST授权代理获取该器件的完整技术资料与设计支持。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适用于要求严苛的离线式开关电源（SMPS）、照明用电子镇流器、电机驱动辅助电源以及不间断电源（UPS）的功率级设计。其I2PAK封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于在需要高可靠性的工业设备中进行安装与热管理。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在既有系统的维护与特定设计项目中仍具参考价值。

• 型号:STI8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI8N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压和7A的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括在10V栅极驱动下仅600毫欧的低导通电阻，以及最大15nC的低栅极电荷。这些参数共同作用，旨在显著降低功率损耗，提升开关频率，从而优化电源系统的效率与功率密度。该器件适用于各类离线式电源转换和电机驱动辅助电源等场景。