STIEC45-26AS

STIEC45-26AS是意法半导体（STMicroelectronics）推出的STIEC系列TRANSIL瞬态电压抑制（TVS）二极管。该器件采用先进的硅基半导体工艺，其核心架构基于优化的齐纳二极管雪崩击穿原理，内部集成了高性能的单向保护单元。这种设计旨在为敏感电子线路提供精确、快速的过压保护，通过将瞬态高压钳位至安全水平，有效吸收和泄放由静电放电（ESD）、电感负载切换或雷击感应等事件产生的能量脉冲，从而防止后端电路受损。

该器件具备出色的电气特性。其反向断态电压典型值为26V，最小击穿电压为28.9V，能够在高达500A（8/20s波形）的峰值脉冲电流冲击下，将钳位电压最大值有效控制在45V，展现出强大的浪涌吸收能力和稳定的电压钳位性能。其响应时间极快，达到皮秒级，确保在电压尖峰出现的瞬间即刻动作。封装采用表面贴装型的DO-214AB（SMC），紧凑的尺寸使其非常适合高密度PCB布局，同时宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛工业环境下的可靠性与稳定性。

在接口与参数方面，STIEC45-26AS是一款单向TVS二极管，适用于保护直流极性明确的线路。其设计针对通用型应用，为电源总线、数据线、I/O端口等提供经济高效的防护方案。用户可通过正规的ST授权代理获取完整的技术资料、可靠性报告以及批量供货支持。该器件无需外部配置复杂电路，即可实现即插即用的保护功能，简化了系统设计。

凭借其稳健的性能，STIEC45-26AS广泛应用于通信设备、工业控制系统、汽车电子模块、消费类电子产品以及电源适配器等领域的端口保护。它常被部署在AC-DC转换器的次级侧、直流电机驱动接口、RS-232/485通信线路以及各类传感器的供电线上，作为防止瞬态过压损害微控制器、ASIC及其他精密集成电路的第一道防线，是提升系统电磁兼容性（EMC）和长期可靠性的关键组件。

• 型号:STIEC45-26AS
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SMC
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 26VWM 45VC SMC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:齐纳
• 单向通道:1
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:26V
• 电压 - 击穿（最小值）:28.9V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:45V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):500A（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:-
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-214AB，SMC
• 供应商器件封装:SMC
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STIEC45-26AS是ST意法半导体STIEC系列中的一款表面贴装TVS二极管，属于TRANSIL产品家族。该器件采用单向齐纳型设计，专为抑制瞬态电压尖峰而优化，其核心特性包括26V的反向断态电压以及高达500A（8/20s）的峰值脉冲电流处理能力。

在遭遇浪涌时，它能将电压箝位在最大值45V，为后端电路提供可靠保护。其SMC（DO-214AB）封装和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够适应空间受限且环境要求严苛的通用型应用场景，是提升电子系统鲁棒性的理想选择。