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STIEC45-33AS的图片

STIEC45-33AS

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 33VWM 59VC SMC
原厂封装:封装:SMC
优势价格,STIEC45-33AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STIEC45-33AS的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STIEC45-33AS是意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的硅基雪崩击穿技术构建其核心保护机制。该器件设计用于在纳秒级时间内响应并吸收来自静电放电(ESD)、电感负载切换或雷击感应等事件产生的高能量瞬态过电压,其核心工作原理基于一个经过精密优化的PN结。当施加在其两端的反向电压超过预定的击穿阈值时,器件会迅速从高阻态切换到低阻态,形成一条低阻抗通路,将危险的过电压尖峰钳位在一个安全的水平,从而为下游精密电路提供可靠保护。

该芯片具备多项突出的功能特性。其标称反向关断电压为33V,确保在正常电路工作电压下呈现极高的阻抗,几乎不产生漏电流,对系统功耗影响极小。当遭遇瞬态冲击时,其最小击穿电压为36.7V,响应速度极快。在承受高达500A(波形8/20s)的峰值脉冲电流冲击时,器件能将钳位电压有效限制在最大值59V以内,展现了强大的浪涌吸收和电压钳位能力。这种高浪涌电流处理能力与低钳位电压的优异结合,是其保护效能的关键。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

在接口与参数方面,该器件为单通道单向设计,适用于对极性有明确要求的直流线路保护。它采用表面贴装型的DO-214AB(SMC)封装,该封装具有优良的散热性能和机械强度,便于自动化生产焊接。用户在选择时,可通过正规的ST芯片代理获取完整的技术资料、样品及供货支持。其通用型设计使其无需针对特定电源线路进行复杂配置,简化了电路设计流程。

基于其33V的工作电压和强大的瞬态抑制能力,STIEC45-33AS非常适合应用于需要稳健保护的各类电子系统。典型应用场景包括工业自动化设备中的24V直流传感器接口、通信端口(如RS-232/485)、车载电子系统的12V/24V电源总线保护、以及消费电子产品的直流电源输入端口。它能够有效防护因热插拔、继电器动作或外部干扰引入的电压瞬变,是提升系统电磁兼容性(EMC)和可靠性的关键组件。

  • 型号:STIEC45-33AS
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SMC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 33VWM 59VC SMC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):33V
  • 电压 - 击穿(最小值):36.7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):59V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):500A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-214AB,SMC
  • 供应商器件封装:SMC
  • 想获取STIEC45-33AS的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STIEC45-33AS是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款表面贴装TVS二极管,专为抑制高压瞬态脉冲而设计。该器件提供33V的反向关断电压,其核心价值在于能够承受500A(8/20s)的大浪涌电流冲击,同时将输出电压严格钳制在59V以下,为后端电路构建了一道坚固的防线。

其单向导通的特性使其非常适合用于直流电源线和信号线的保护。采用SMC(DO-214AB)封装,具备-55°C至150°C的宽工作结温范围,确保了在恶劣环境下的高可靠性。这款通用型保护器件是提升工业控制、汽车电子及通信设备端口浪涌耐受能力的理想选择。

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