STK20N75F3

STK20N75F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用创新的PolarPak封装，这是一种专为优化热性能和电气性能而设计的表面贴装封装。其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡，通过优化的单元设计和沟槽栅极工艺，在紧凑的尺寸内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这是衡量开关性能的关键品质因数。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至7毫欧（在10A条件下），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为53nC（在10V条件下），结合适中的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。其漏源击穿电压（Vdss）为75V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达20A，为中等功率应用提供了可靠的电压和电流裕量。

在电气参数方面，STK20N75F3的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较强的驱动灵活性。器件的最大允许功耗为5.2W（Tc），结合PolarPak封装优异的散热特性，能够有效管理热负荷。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术支持与供应链信息。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和坚固的封装，这款MOSFET非常适合应用于需要高效率和高可靠性的领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。尤其在空间受限且对热管理要求较高的表面贴装设计中，其PolarPak封装的优势得以充分发挥，是工程师实现紧凑、高效功率解决方案的优选器件之一。

• 型号:STK20N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 20A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
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STK20N75F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和PolarPak表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的结合，在10V驱动下导通电阻低至7毫欧（@10A），同时栅极电荷仅为53nC（@10V），这有效降低了导通与开关损耗，提升了电源系统的整体效率。

该器件额定漏源电压75V，连续漏极电流20A（Tc），功耗5.2W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其成为中等功率密度应用的理想选择，尤其适用于对空间布局和散热有较高要求的紧凑型设计，为工程师提供了高可靠性的功率开关解决方案。