STL100N8F7

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL100N8F7是一款采用先进STripFET技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过精密的单元布局和沟槽栅极工艺，在硅片层面实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心优势在于将高电流处理能力与紧凑的封装形式相结合，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

在电气特性方面，该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为80V，在25°C壳温条件下可连续通过高达100A的漏极电流。其关键特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和10A漏极电流条件下，典型值仅为6.1毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在46.8nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得器件在高频开关应用中表现优异。

该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装不仅提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积，其低寄生电感特性也进一步优化了高频开关行为。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。其驱动电压要求为10V（以获得最小RdsOn），最大栅源电压为±20V，输入电容（Ciss）在40V漏源电压下最大值为3435pF，这些参数为电路设计者提供了清晰的边界条件。

基于其高电流、低损耗和快速开关的特性，STL100N8F7非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流DC-DC转换器、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及各类工业电源中的功率开关模块。其稳健的设计使其能够胜任汽车电子、电动工具和不间断电源（UPS）等领域的核心功率处理任务。

• 型号:STL100N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3435 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL100N8F7是ST意法半导体STripFET产品系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅技术，在80V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达100A（Tc）的连续漏极电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心电气优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为6.1毫欧，配合46.8nC的较低栅极电荷（Qg @ 10V），共同实现了优异的导通与开关损耗平衡。器件采用热性能出色的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。